III-V族化合物_百度百科 所谓III-V族化合物，是元素周期表中III族的B，Al，Ga，In和V族的N，P，As，Sb形成的 化合物，主要包括镓化砷（GaAs）、磷化铟（InP）和氮化镓等。 III-V族化合物的表示 ...
III-V族化合物| 科學Online – 科技部高瞻自然科學教學資源平台 III-V族化合物半導體絕大部分屬於直接能隙半導體，不同於間接能隙之矽半導體。 所謂直接能隙半導體則指電子從導帶底部掉落至價帶頂端，只產生能量的變化，此 ...
III-V族化合物半導體在光電元件中的應用| 科學Online – 科技部高瞻 ... 2011年2月8日 ... 再者，此III-V族化合物半導體並非存在自然界，乃是利用液相磊晶(簡稱LPE)技術、 化學氣相沉積(簡稱CVD)技術、分子束磊晶(簡稱MBE)技術或是 ...
III V 族化合物半導體- AST聚昌科技 III V 族化合物半導體. 人類對無線通訊及光纖寬頻設備的需求日益強烈，也因此帶動 擁有高電子遷移率、高崩潰電壓、耐高溫、發光特性及抗輻射性等特點的ⅢⅤ族 ...
III-V族半導体 - Wikipedia III-V族半導体（さんごぞくはんどうたい）は、III族元素とV族元素を用いた半導体である。2 種類以上の元素を組み合わせた半導体を化合物半導体と呼び、III-V族化合物半導体 ...
III-V族化合物 - Wikipedia III-V族化合物（さんごぞくかごうぶつ）は、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、 タリウムなどの周期表III族(13族)元素と、窒素、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマスなど ...
《化合物半導體》-技術文章頻道--III-V族閃耀IEDM 2011 2012年7月16日 ... 2011年的IEDM會議中，III-V族MOSFET進入了三維、低能耗的量子井場效電晶體 領域，而GaN二極體和電晶體達到同時具備高崩潰電壓及極小漏 ...
成功俱樂部:: 產學小聯盟- III-V族化合物半導體聯盟 - 國立成功大學 產學小聯盟- III-V族化合物半導體聯盟. 目前在化合物半導體工業上常見的薄膜成長 技術，主要採用需真空設備的物理/化學氣相沉積方式取得高品質薄膜(如氮化矽等)。
